2021年8月6日 - 捷捷微電 推出新款30V N溝道JSFET?, 用以符合電源及電機(jī)類應(yīng)用、反向電池保護(hù)等對(duì)超高功率密度和能效的需求。JMSL030SAG 采用緊湊且具高可靠性的 PDFN5x6 封裝，內(nèi)部配以全銅框架及夾片，把雜生電感降至最低的同時(shí)，超優(yōu)的熱導(dǎo)性能可減少熱點(diǎn)，改善器件的雪崩能量 (EAS)。在VGS＝10V條件下，標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)電阻抗僅為0.55mΩ 達(dá)國(guó)內(nèi)最高水平，與歐美日半導(dǎo)體 IDM 大廠的最佳同類產(chǎn)品不相伯仲。
新的 SGT MOSFET 功率器件與最接近的 DPAK 和 D2PAK 封裝競(jìng)品器件相比，占位面積分別減少 50% 及 76%。與同類采用 5mm x 6mm 封裝的競(jìng)品相比，不單在導(dǎo)通阻抗和輸入電容兩個(gè)參數(shù)方面大有優(yōu)勢(shì)；具業(yè)界領(lǐng)先的線性模式 / 安全工作區(qū)域（SOA）特性，亦可以在大電流條件下安全可靠地開關(guān)工作。PDFN5x6 封裝的引腳，具低應(yīng)力而且長(zhǎng)達(dá) 0.275mm，比歐美同類產(chǎn)品高出 2.2倍多，極大程度地改善自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)線路板上焊點(diǎn)良率。
「JMSL030SAG 是捷捷微電繼上一代國(guó)內(nèi) RON,sp 最先進(jìn)的 JMSL0302AU 后，結(jié)合先進(jìn)的全銅和長(zhǎng)引腳封裝工藝，把性能更推高至全球第一梯隊(duì)。有信心它可以在客戶的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上，助力優(yōu)化功率密度、溫升、能效、和生產(chǎn)良率等?！?/span>
JMSL030SAG 能滿足消費(fèi)類、工業(yè)類、及車用類后裝等應(yīng)用對(duì)器件牢固性和可靠性的需求。在數(shù)據(jù)中心、5G數(shù)據(jù)交換站、安防系統(tǒng)伺服器里用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的固態(tài)硬盤，在維修及正常運(yùn)作時(shí)，常常需要被熱插拔。接合處 e-Fuse 內(nèi)含JMSL030SAG，其超低導(dǎo)通阻抗及 Qg 既可把正常工作能耗降至最低，也能輕松的處理電源關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)的尖峰電壓。
